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Table 5-3.
DC and operating characteristics for read operation
Symbol
Parameter
Condition
Min
Max
Units
Ind.
±1
μA
I LI
Input load current
V IN = 0V to V CC
Auto.
±5
μA
Ind.
±5
μA
I LO
Output leakage current
V OUT = 0V to V CC
Auto.
±10
μA
I PP1
(2)
V PP (1)
read/standby current
V PP = V CC
10
μA
I SB
I CC
V IL
V IH
V OL
V CC (1) standby current
V CC active current
Input low voltage
Input high voltage
Output low voltage
I SB1 (CMOS), CE = V CC ? 0.3V
I SB2 (TTL), CE = 2.0 to V CC + 0.5V
f = 5MHz, I OUT = 0mA, E = V IL
I OL = 2.1mA
-0.6
2.0
100
1
20
0.8
V CC + 0.5
0.4
μA
mA
mA
V
V
V
V OH
Output high voltage
I OH = -400μA
2.4
V
Notes:
1. V CC must be applied simultaneously with or before V PP , and removed simultaneously with or after V PP .
2. V PP may be connected directly to V CC , except during programming. The supply current would then be the sum of I CC and
I PP .
Table 5-4.
AC characteristics for read operation
Atmel AT27C256R
-45
-70
Symbol
t ACC (1)
t CE (1)
t OE (1)
Parameter
Address to output delay
CE to output delay
OE to output delay
Condition
CE = OE = V IL
OE = V IL
CE = V IL
Min
Max
45
45
20
Min
Max
70
70
30
Units
ns
ns
ns
t DF (1)
t OH
OE or CE high to output float, whichever occurred first
Output hold from address, CE or OE, whichever occurred
first
7
20
7
25
ns
ns
Note:
1. See AC waveforms for read operation.
4
Atmel AT27C256R
0014O–EPROM–10/11
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